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磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响
引用本文:徐玮,于军,王晓晶,袁俊明,雷青松. 磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响[J]. 半导体光电, 2010, 31(2)
作者姓名:徐玮  于军  王晓晶  袁俊明  雷青松
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074;湖北省光伏工程技术研究中心,武汉,430074
基金项目:国家自然科学基金重大项目(90407023)
摘    要:利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明:溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为88.21%、电阻率为8.28×10-4Ω.cm)。

关 键 词:磁控溅射  陶瓷靶材  电阻率  透过率  ZnO:Al薄膜

Effects of Process Parameters on Properties of ZnO:Al Thin Films Fabricated with Magnetron Sputtering
XU Wei,YU Jun,WANG Xiaojing,YUAN Junming,LEI Qingsong. Effects of Process Parameters on Properties of ZnO:Al Thin Films Fabricated with Magnetron Sputtering[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2010, 31(2)
Authors:XU Wei  YU Jun  WANG Xiaojing  YUAN Junming  LEI Qingsong
Affiliation:1. Department of Electronic Science & Technology;Huazhong University of Science & Technology;Wuhan 430074;CHN;2. Hubei PV Center of Engineering & Technology;CHN
Abstract:
Keywords:
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