| Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si:H)薄膜 |
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| 引用本文： | 黄金英,赵玉环,张志伟,荆海,凌志华.Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si:H)薄膜[J].液晶与显示,2005,20(5):397-400. |
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| 作者姓名： | 黄金英 赵玉环 张志伟 荆海 凌志华 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶研究开发中心,吉林,长春,130031
2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(“863”计划)资助项目(No.2002AA3250)，吉林省科技发展计划资助项目(No.20030304) |
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| 摘 要： | 对在氢化非晶硅薄膜（a-Si：H）上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化（MIC）／金属诱导横向晶化（MILC），制备多晶硅薄膜（p-Si）的上艺及薄膜特性进行了研究。XRD测最结果表明非晶硅在500℃退火1h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为（220）．而且晶粒随退火时间的延长而长大。非晶硅薄膜样品500℃下退火6h后的扫描电镜照片显示，原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化．晶粒均匀．平均晶粒大小约为0．3μm，而且已经发生横向晶化。EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明，金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化．除了少量残留在MILC多晶硅中外．其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿。500℃下退火20h后样品的Raman测试结果也表明．金属离子向周边薄膜扩散．横向晶化了非晶硅薄膜。
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 多晶硅 金属诱导晶化 金属诱导横向晶化 |
| 文章编号： | 1007-2780(2005)05-0397-04 |
| 修稿时间： | 2005年6月6日 |
Ni Induced Lateral Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film |
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| HUANG Jin-ying,ZHAO Yu-huan,ZHANG Zhi-wei,JING Hai,LING Zhi-hua.Ni Induced Lateral Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2005,20(5):397-400. |
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| Authors: | HUANG Jin-ying ZHAO Yu-huan ZHANG Zhi-wei JING Hai LING Zhi-hua |
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| Affiliation: | HUANG Jin-ying~1,ZHAO Yu-huan~1,ZHANG Zhi-wei~1,JING Hai~1,LING Zhi-hua~2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydrogenated amorphous silicon polysilicon MIC MILC |
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