| 硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究 |
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| 引用本文： | 邢英杰, 奚中和, 俞大鹏, 杭青岭, 严涵斐, 冯孙齐, 薛增泉. 硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究[J]. 电子与信息学报, 2003, 25(2): 259-262. |
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| 作者姓名： | 邢英杰 奚中和 俞大鹏 杭青岭 严涵斐 冯孙齐 薛增泉 |
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| 作者单位： | 北京大学电子学系,北京,100871;北京大学物理系,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.60071015) |
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| 摘 要： | 该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法。与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源.是一种全新的固液固(SLS)生长机制。实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2.5104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非晶态,直径为10-40 nm,长度可达数十微米,升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用。研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响。
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| 关 键 词： | 硅纳米线 SLS生长机制 升温特性 |
| 收稿时间： | 2001-08-14 |
| 修稿时间： | 2001-08-14 |
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