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| 低温多晶硅TFT-LCD的开发动向和发展 | |
| 引用本文： | 李柳强,王仙萍.低温多晶硅TFT-LCD的开发动向和发展[J].真空电子技术,2004(2):68-71. |
| 作者姓名： | 李柳强 王仙萍 |
| 摘 要： | p-Si TFT与非晶Si TFT相比较,其元件性能要高100多倍,可以将周边电路集成到玻璃基板上,减少驱动像素的外部IC数量,并且也使连接端子数减少到1/20,大大地提高了产品的可靠性.除此之外,它还具有缩小像素TFT尺寸,易实现高清晰化等优点.另外,由于使用了耗电量小的CMOS,可以将各种电路集成到玻璃上,进而能够运用于更广阔的领域. |
| 关 键 词： | 低温多晶硅 TFT-LCD 发展历程 低温栅极氧化膜 离子掺杂 |
| 文章编号： | 1002-8935(2004)02-0068-04 |
| 修稿时间： | 2003年9月25日 |
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