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| 高调制度光致相变特性氧化钒薄膜太赫兹时域频谱研究 | |
| 引用本文： | 董杰,栗岩锋,束李,李江,柴路,王清月.高调制度光致相变特性氧化钒薄膜太赫兹时域频谱研究[J].中国激光,2014,41(1):111001. |
| 作者姓名： | 董杰 栗岩锋 束李 李江 柴路 王清月 |
| 作者单位： | 董杰:天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室 透射光电信息技术教育部重点实验室, 天津 300072 栗岩锋:天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室 透射光电信息技术教育部重点实验室, 天津 300072 束李:天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室 透射光电信息技术教育部重点实验室, 天津 300072 李江:天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室 透射光电信息技术教育部重点实验室, 天津 300072 柴路:天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室 透射光电信息技术教育部重点实验室, 天津 300072 王清月:天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室 透射光电信息技术教育部重点实验室, 天津 300072 |
| 基金项目： | 国家973计划（2010CB327604,2011CB808101），国家自然科学基金（61077083,61027013,60978022,60838004,61211120193），高等学校博士学科点专项科研基金（20090032110050） |
| 摘 要： | 基于太赫兹(THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体-金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜,通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射率来评估成膜质量,得出在溅射时间60min不变的情况下,退火时间和退火温度分别为60s和560℃时可以得到性能非常良好的氧化钒薄膜。在上述最佳条件下制备的氧化钒薄膜的相变深度可达80%。利用薄膜近似计算了太赫兹波段氧化钒薄膜在光致相变过程中电导率的变化,计算结果表明电导率实部在103Ω-1·cm-1量级,并基于Drude模型得到了金属态氧化钒薄膜的复介电常数以及复折射率。在绝缘衬底上制备的具有明显阈值激发功率且相变深度大的氧化钒薄膜将在太赫兹调制器件中有重要应用。 |
| 关 键 词： | 薄膜 氧化钒薄膜 太赫兹时域频谱技术 绝缘体-金属相变 飞秒激光 |
| 收稿时间： | 2013/7/12 |
Study of Photo-Induced Phase Transition of VO2 Films with High Modulation by Time-Domain Spectroscopy |
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| Abstract: | |
| Keywords: | thin films vanadium dioxide film terahertz time-domain spectroscopy insulator-metal phase transition femotosecond laser |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |