| 一种减少VDMOS寄生电容的新结构 |
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| 引用本文： | 郭丽莎,夏洋.一种减少VDMOS寄生电容的新结构[J].现代电子技术,2009,32(20):200-202. |
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| 作者姓名： | 郭丽莎 夏洋 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构.该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容.在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入.利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少橱电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能.
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| 关 键 词： | 电容 开关时间 |
New VDMOS Structure with Reduced Parasitic Capacitance |
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| GUO Lisha,XIA Yang.New VDMOS Structure with Reduced Parasitic Capacitance[J].Modern Electronic Technique,2009,32(20):200-202. |
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| Authors: | GUO Lisha XIA Yang |
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| Keywords: | VDMOS TCAD |
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