硅中注铋脉冲激光退火的研究

本文报导了采用165 keV He~+离子沟道背散射技术研究高剂量铋注入<111>硅后,进行脉冲激光退火的效果,并和热退火作了比较。热退火温度达到900℃时,剩余晶格损伤还有35％;在750℃下退火时,铋的替位率达到最大值50％,温度再升高,替位率反而下降;在退火温度高于625℃时就产生大量铋原子的外扩散。面脉冲激光退火后,晶格损伤几乎全部消除,铋原子进行再分布,它在硅中的浓度可超过固溶度一个数量级,且95％以上处于替代位置。文中还就不同激光能量下的退火情况作了比较。