| Hg1—xCdxTe材料中的Te离子空位共振能级 |
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| 引用本文： | 黄晖,许京军,等.Hg1—xCdxTe材料中的Te离子空位共振能级[J].红外与毫米波学报,2003,22(1):27-30. |
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| 作者姓名： | 黄晖 许京军 |
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| 作者单位： | 1. 昆明物理研究所,云南,昆明,650223;南开大学物理科学学院光子学中心,天津,300071
2. 南开大学物理科学学院光子学中心,天津,300071 |
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| 摘 要： | 利用拉曼显微镜在室温下对金属有机化合物气相外延（MOVPE）和液相外延（LPE）方法生长的Hg1-xCdxTe薄膜材料以及用加速坩埚旋转布里奇曼（ACRT－Bridgman)和Te溶剂方法生长的Hg1-xCdxTe体材料进行了系统研究，在上述4种方法生长的材料的显微拉曼光谱中，均发现在导带底上方且远高于材料导带底对应能级的显微荧光发光峰，通过详细比较可以判定，高于导带底约1．5eV的显微荧光起源于Hg1-xCdxTe材料中的Te离子空位与材料导带底的共振能级发光，从而确定在碲镉汞材料中存在一个稳定的Te离子空位共振能级。
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| 关 键 词： | 共振能级 Hg1－xCdxTe材料 Te离子空位 显微荧光 拉曼显微镜 薄膜结构 碲镉汞材料 |
| 收稿时间： | 2002/8/11 |
| 修稿时间： | 2002年8月11日 |
Te ION VACANCY RESONANCE LEVEL IN Hg1-xCdxTe MATERIALS |
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| HUANG Hui, XU Jing-Jun ZHANG Cun-Zhou ZHANG Guang-Yin.Te ION VACANCY RESONANCE LEVEL IN Hg1-xCdxTe MATERIALS[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2003,22(1):27-30. |
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| Authors: | HUANG Hui XU Jing-Jun ZHANG Cun-Zhou ZHANG Guang-Yin |
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| Abstract: | The MOVPE Hg 1-xCd xTe epitaxial film, LPE Hg 1-xCd xTe epitaxial film and Hg 1-xCd xTe bulk wafers grown by ACRT-Bridgman and Te solvent methods were measured by means of Raman microscopy in the room temperature. In all the experimental specimen, the micro-Photoluminescence emission centered above the bottom of Hg 1-xCd xTe conduction band about 1.5eV were observed for the first time. It is confirmed that the micro-photoluminescence was induced by the Te ion vacancy resonance level. |
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| Keywords: | Hg1-x CdxTe materials Te ion vacancies micro-photoluminescence Raman microscopy |
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