| In Ga As/Ga As超晶格的界面研究 |
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| 引用本文： | 都安彦,邹进,冯国光,侯宏启,黄琦,周均铭.In Ga As/Ga As超晶格的界面研究[J].电子显微学报,1988(3). |
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| 作者姓名： | 都安彦 邹进 冯国光 侯宏启 黄琦 周均铭 |
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| 作者单位： | 中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 |
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| 摘 要： | In_xGa_(1-x)As/Ga As之间晶格失配度与X成线性关系,其最大值为7％。因而当外延层厚度大于临界厚度时在界面会产生微缺陷,这些缺陷对其材料性能有很大影响。因此对In x Ga_(1-x)As Ga As界面研究就显得很重要。本工作就GaAs衬底上MBE生长In_(0.2)Ga_(0.8)As/Ga As超晶格样品进行平面,断面的TEM研究。实验结果表明超晶格平整,均匀,只看到位错一种微缺陷。GaAs衬底内位错。表面机械损伤会在超晶格层内引入位错。在In Ga As Ga As界面上失配位错情况如图1所示。图1a为110]方向衬象,可见界面上位错线及露头(箭头所示)倾转约30,在图1b中看到位错网络,箭头所示位错为1a中所示的露头。
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