| 用于ULSI的低K氟化非晶碳膜研究 |
| |
| 引用本文： | 丁士进,王鹏飞,张卫,王季陶,李伟.用于ULSI的低K氟化非晶碳膜研究[J].半导体技术,2001,26(5):26-30. |
| |
| 作者姓名： | 丁士进 王鹏飞 张卫 王季陶 李伟 |
| |
| 作者单位： | 1. 复旦大学电子工程系CVD室,
2. 台湾半导体制造公司(TSMC), |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;69776026; |
| |
| 摘 要： | 综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（a-C:F)的制备，化学键结构，介电常数与热稳定，填隙能力，粘附性，热导率等性能，为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。
|
| 关 键 词： | 氟化非晶碳膜 ULSI 集成电路 化学汽相淀积 |
| 文章编号： | 1003-353(2001)05-0026-05 |
| 修稿时间： | 2000年8月30日 |
Study on low k fluorinated amorphous carbon films used in ULSI |
| |
| DING Shi-jin,WANG Peng-fei,ZHANG Wei,WANG Ji-tao,LI Wei.Study on low k fluorinated amorphous carbon films used in ULSI[J].Semiconductor Technology,2001,26(5):26-30. |
| |
| Authors: | DING Shi-jin WANG Peng-fei ZHANG Wei WANG Ji-tao LI Wei |
| |
| Abstract: | Fluorinated amorphous carbon (a-C:F) films used as interconnection dielectrics in ultralarge integration circuits have been summarized, including its preparation, chemical bonding structures, dielectric constant and thermal stability, gap-filling capacity, adhesion to other materials, thermal conductivity and etc. It will be guidance in develop lug low-dielectric-constant materials with new functions. |
| |
| Keywords: | a-C:F films low dielectric constant chemical vapor deposition |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
