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| 电场偏置对MOS器件电离辐射效应的影响 | |
| 引用本文： | 刘远,李斌,何玉娟.电场偏置对MOS器件电离辐射效应的影响[J].微电子学,2010,40(3). |
| 作者姓名： | 刘远 李斌 何玉娟 |
| 作者单位： | 1. 广东工业大学,材料与能源学院,广州,510006;华南理工大学,电子与信息学院,广州,510640 2. 华南理工大学,电子与信息学院,广州,510640 3. 华南理工大学,电子与信息学院,广州,510640;工业和信息化部,电子第五研究所,广州,510610 |
| 基金项目： | 国家重点基金，国家重点实验室基金，广东工业大学博士启动项目 |
| 摘 要： | 研究了外加电场对MOS器件电离辐射效应的影响.采用10 keV X射线对MOS器件在正/反电场偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOS器件辐射前后阈值电压的漂移量.实验结果表明,正偏情况下MOS器件的阈值电压漂移量远大于反偏情况下MOS器件的阈值电压漂移量.基于一维连续性方程,在考虑电子-空穴对的复合/逃逸率、电子及空穴的捕获横截面与外加电场关系的基础上,模拟了辐射诱生栅氧化层内陷阱电荷与辐射总剂量之间的关系,分析了陷阱电荷对MOS器件阈值电压的影响,仿真结果与实验数据吻合良好. |
| 关 键 词： | 栅氧化层 电离辐射 总剂量辐射 电场偏置 |
Dependence of Electric Field Bias on Ionizing Radiation Effect of MOS Devices |
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| LIU Yuan,LI Bin,HE Yujuan.Dependence of Electric Field Bias on Ionizing Radiation Effect of MOS Devices[J].Microelectronics,2010,40(3). | |
| Authors: | LIU Yuan LI Bin HE Yujuan |
| Abstract: | |
| Keywords: | MOSFET |
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