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| 两次MOVPE生长的大功率InGaAs—GaAs—InGaP掩埋异质结应变量子阱激光器 | |
| 引用本文： | Sin,YK 武占春.两次MOVPE生长的大功率InGaAs—GaAs—InGaP掩埋异质结应变量子阱激光器[J].半导体情报,1994,31(5):39-41. |
| 作者姓名： | Sin YK 武占春 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 异质结 应变量子阱 量子阱 激光器 MOVPE生长 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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