一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器 |
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引用本文: | 孙俊峰,姜理利,刘水平,郁元卫,朱健,黎明,陈章余.一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器[J].固体电子学研究与进展,2023(4):353-358. |
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作者姓名: | 孙俊峰 姜理利 刘水平 郁元卫 朱健 黎明 陈章余 |
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作者单位: | 1. 南京电子器件研究所;2. 江苏联合职业技术学院南京工程分院 |
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摘 要: | 设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC~15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。
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关 键 词: | 数控衰减器 晶圆级封装 RF MEMS MEMS开关 |
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