0.3~3.0GHz超宽带高精度数控移相器的设计 |
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引用本文: | 李光超,蒋乐,豆兴昆,于天新,褚水清.0.3~3.0GHz超宽带高精度数控移相器的设计[J].固体电子学研究与进展,2023(4):324-328. |
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作者姓名: | 李光超 蒋乐 豆兴昆 于天新 褚水清 |
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作者单位: | 中科芯集成电路有限公司 |
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摘 要: | 基于0.15μm GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款应用于相控阵系统的集成数字驱动器的0.3~3.0 GHz高精度6 bit数控移相器芯片,通过级联6个不同移相单元可实现最小步进为5.625°的0°~360°移相范围。5.625°、11.25°、22.5°移相单元采用开关切换单阶磁耦合全通网络结构,45°移相单元采用开关切换电容补偿单阶磁耦合全通网络结构,90°、180°采用开关切换高通补偿两阶磁耦合全通网络结构。在片测试结果表明:在0.3~3.0 GHz频段内,数控移相器芯片64态移相均方根误差小于3°,插入损耗小于18 dB,全态移相附加调幅小于±1 dB,输入输出驻波小于1.9,静态功耗为3 mA@-5 V。芯片版图面积为5.00 mm×3.45 mm。
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关 键 词: | 砷化镓 超宽带 高移相精度 数控移相器 数字驱动器 磁耦合全通网络结构 |
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