L波段高效率内匹配GaN HEMT |
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引用本文: | 银军,武继斌,张志国,高学邦,吴洪江.L波段高效率内匹配GaN HEMT[J].半导体技术,2014,39(7). |
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作者姓名: | 银军 武继斌 张志国 高学邦 吴洪江 |
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作者单位: | 中国电子科集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路重点实验室,石家庄050051 |
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摘 要: | 研究了一种基于国产SiC衬底的L波段GaN高效率内匹配器件。利用在片微波测试和直流测试相结合方法获得器件的小信号模型,外推得到大信号模型,并进行负载牵引方法验证。在此基础上设计两胞匹配电路,采用电感-电容匹配网络,器件阻抗提升到12Ω,利用改进型威尔金森功率分配器和功率合成器将阻抗由12Ω提升到50Ω,功率分配器和匹配电容使用高Q值陶瓷基片加工。研制的内匹配GaN HEMT器件在测试频率为1.20~1.32 GHz时,输出功率大于80 W,功率增益大于16.2 dB,最大功率附加效率达到72.1%。
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关 键 词: | GaN HEMT 内匹配 L波段 功率 高效率 |
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