一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型 |
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引用本文: | 胡志富,崔玉兴,杜光伟,方家兴,武继斌,蔡树军.一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型[J].半导体技术,2014,39(9). |
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作者姓名: | 胡志富 崔玉兴 杜光伟 方家兴 武继斌 蔡树军 |
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作者单位: | 河北半导体所,石家庄050051;专用集成电路重点实验室,石家庄050051 |
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摘 要: | 基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善,但也增加了建模的复杂度。采用分布式建模技术,为鱼骨型器件建立了一种分布式等效电路模型,模型在1~20 GHz内与实测S参数吻合较好,表明分布式建模技术可以用于准确地模拟鱼骨型GaN HEMT器件的高频特性。
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关 键 词: | 氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 模型 鱼骨型 分布式 |
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