ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响 |
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引用本文: | 王晓翠,杨瑞霞,王如,张嵩,任光远.ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响[J].微纳电子技术,2014(1). |
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作者姓名: | 王晓翠 杨瑞霞 王如 张嵩 任光远 |
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作者单位: | 河北工业大学信息工程学院;中国电子科技集团公司第四十六研究所; |
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摘 要: | 为了得到高质量的GaN材料,首先在c面蓝宝石(Al2O3)衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层,然后采用氢化物气相外延(HVPE)法在ZnO缓冲层上生长约5.2μm厚的GaN外延层,研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响。用微分干涉显微镜(DIC)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)技术研究分析了GaN外延层的表面形貌、结晶质量和光学特性。结果表明,ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层的特性有着重要的影响,200 nm厚的ZnO缓冲层最有利于高质量GaN外延层的生长。
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关 键 词: | 氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) ZnO缓冲层 蓝宝石 磁控溅射 |
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