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三氧化钨纳米薄膜制备与气敏性能的研究
引用本文:尹英哲,胡明,冯有才,陈鹏.三氧化钨纳米薄膜制备与气敏性能的研究[J].传感技术学报,2007,20(11):2361-2363.
作者姓名:尹英哲  胡明  冯有才  陈鹏
作者单位:天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;金策工业大学,电子信息工程学院,朝鲜;天津大学,电子信息工程学院,天津,300072
摘    要:讨论一种对二氧化氮具有高灵敏性的WO3纳米薄膜的制备方法.当基片温度为室温,溅射混合气体(O2/Ar)的比例为1:1时,用直流反应磁控溅射法制备的薄膜,经过两步热处理(300℃/600℃),得到纳米结构WO3气敏元件.通过XRD、XPS和SEM对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,用静态配气法测试NO2气敏特性.在Si3N4基片上制备的这种薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-5~3×10-5)具有优异的敏感特性和响应特性,最佳工作温度为150℃,在此温度下对其他一些气体(如CO,C2H5OH,NH3)的敏感性很差,显示出良好的选择性.

关 键 词:WO3纳米薄膜  灵敏度  直流反应磁控溅射  两步热处理
文章编号:1004-1699(2007)11-2361-03
修稿时间:2006年12月7日

Study on fabrication of nanocrystalline tungsten trioxide thin film and gas sensing -characteristics
Yun Yong Chol,Hu Ming,Feng You Cai,Chen Penga.Study on fabrication of nanocrystalline tungsten trioxide thin film and gas sensing -characteristics[J].Journal of Transduction Technology,2007,20(11):2361-2363.
Authors:Yun Yong Chol  Hu Ming  Feng You Cai  Chen Penga
Abstract:
Keywords:nanocrystalline WO3 thin film  sensitivity  dc reactive magnetron sputtering  two-step annealing
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