| 不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究 |
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| 引用本文： | 黎建明,屠海令,郑安生,陈坚邦.不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究[J].稀有金属,2003,27(2):299-302,313. |
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| 作者姓名： | 黎建明 屠海令 郑安生 陈坚邦 |
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| 作者单位： | 北京有色金属总院国家半导体材料工程研究中心,北京,100088 |
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| 摘 要： | 用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测。结果表明：切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序；锑化镓单晶切割片表面极不平整，有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹；其表面损伤层深度≤30μm；双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹，但比切割片的要细，而且桔皮皱纹的深浅随磨砂（Al2O3)粒径的减小而变细变浅；晶片的表面损伤层深度（≤5μm）也随着磨砂粒径的减小而减小。一般情况下，其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2。机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹；其损伤层深度约55nm。
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| 关 键 词： | 锑化镓 切片 磨片 抛光 损伤层 |
| 文章编号： | 0258-7076(2003)02-0299-05 |
Observation of Damage Layer on Surface of GaSb Wafer by SEM and TEM |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaSb slicing lapping polishing damaged layer |
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