首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质
引用本文:敖建平,何青,孙国忠,刘芳芳,黄磊,李薇,李凤岩,孙云,薛玉明.化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质[J].半导体学报,2005,26(7):1347-1352.
作者姓名:敖建平  何青  孙国忠  刘芳芳  黄磊  李薇  李凤岩  孙云  薛玉明
作者单位:南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071南昌航空工业学院材料系,南昌330034,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071南昌航空工业学院材料系,南昌330034,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划) , 江西省自然科学基金
摘    要:采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在10~4~10~5Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%.

关 键 词:化学水浴沉积  CdS  CIGS太阳电池
文章编号:0253-4177(2005)07-1347-06
收稿时间:2004-10-29
修稿时间:2004-12-16

Crystal Structure and Properties of Chemical Bath Deposited CdS Thin Films
Ao Jianping,He Qing,Sun Guozhong,Liu Fangfang,Huang Lei,LI WE,LI Fengyan,Sun Yun,Xue Yuming.Crystal Structure and Properties of Chemical Bath Deposited CdS Thin Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(7):1347-1352.
Authors:Ao Jianping  He Qing  Sun Guozhong  Liu Fangfang  Huang Lei  LI WE  LI Fengyan  Sun Yun  Xue Yuming
Abstract:
Keywords:CBD  CdS thin film  CIGS solar cells
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号