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| 高光增益GaAs/Ga_(0.55)Al_(0.45)As异质结光晶体管 | |
| 引用本文： | 黄小康,孙宝寅,孙成城,薛保兴,张培荣.高光增益GaAs/Ga_(0.55)Al_(0.45)As异质结光晶体管[J].半导体学报,1986,7(5):543-546. |
| 作者姓名： | 黄小康 孙宝寅 孙成城 薛保兴 张培荣 |
| 作者单位： | 清华大学无线电电子学系 (黄小康，孙宝寅，孙成城，薛保兴)，清华大学无线电电子学系(张培荣) |
| 摘 要： | 本文报道了具有高光增益的GaAs/Ga_(0.55)Al_(0.45)As异质结光晶体管的研制,并对影响器件光增益的一些因素作了讨论.实验中得到的最大光增益为3350.理论分析和实验结果均表明:减小基区宽度,降低基区掺杂浓度,提高基区内少子扩散长度,以及适当调整基区与发射区掺杂浓度之比将有益于提高异质结光晶体管的光增益. |
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