快离子导体碘钨酸银电性能的研究 |
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引用本文: | 王书运,王少臣.快离子导体碘钨酸银电性能的研究[J].传感器与微系统,1984(4). |
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作者姓名: | 王书运 王少臣 |
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作者单位: | 电子工业部第四十九研究所
(王书运),电子工业部第四十九研究所(王少臣) |
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摘 要: | 本文论述了用化学法合成,烧结制做的快离子导体Ag_6I_4WO_4。这种化合物在25℃时的离子电导率为0.039Ω~(-1)Cm~(-1),在25~150℃的电导活化能为3.625卡/克分子,电子电导率为10~(-8)Ω~(-1)Cm~(-1),分解电压为0.62V。
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