| 压缩真空场中量子存储单元的消相干特性 |
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| 引用本文： | 张登玉. 压缩真空场中量子存储单元的消相干特性[J]. 光电子．激光, 2002, 13(6): 614-616 |
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| 作者姓名： | 张登玉 |
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| 作者单位： | 湖南衡阳师范学院物理系,湖南,衡阳,421008 |
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| 基金项目： | 湖南省中青年科技基金资助项目 (0 0 JZY2 13 6) |
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| 摘 要： | 两能级原子作为量子存储单元,当存储单元置于压缩真空库（人工制备的库）时,利用存储单元约化密度算符非对角元的时间演化,研究单光子过程和工双光子过程中存储单元的消相干特性。在压缩真空库中,可以消除量子存储单元的消相干。
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| 关 键 词： | 压缩真空库 两能级原子 量子存储单元 简并双光子 消相干 |
| 文章编号： | 1005-0086(2002)06-0614-03 |
| 修稿时间： | 2001-11-26 |
Decoherence Properties of Quantum Memory Cell in Squeezed Vaccum Reservoir |
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| ZHANG Deng yu. Decoherence Properties of Quantum Memory Cell in Squeezed Vaccum Reservoir[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2002, 13(6): 614-616 |
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| Authors: | ZHANG Deng yu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Squeezed vaccum reservoir Two level atom Quantum memory cell Degenerate two photon Decoherence |
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