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| 离子束增强沉积AlN薄膜的研究 | |
| 引用本文： | 门传玲,徐政,郑志宏,多新中,张苗,林成鲁.离子束增强沉积AlN薄膜的研究[J].压电与声光,2001,23(5):366-369. |
| 作者姓名： | 门传玲 徐政 郑志宏 多新中 张苗 林成鲁 |
| 作者单位： | 1. 同济大学材料学院微电子所;中国科学院上海冶金所 2. 同济大学材料学院微电子所 3. 中国科学院上海冶金所 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究专项基金资助项目(G20000365);国家自然科学基金资助项目(69976034) |
| 摘 要： | 利用离子束增强沉积9IBED）法成功地在Si(100）衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜。XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在，随着Al蒸发速率的提高，N/Al下降，在0.05nm/s及0.10nm/s的蒸发速率下制得的薄膜N／Al分别为0.402:1和0.250:1。SRP测试结果表明，随着Al蒸发速率的提高，表面电阻下降，并助在0.05nm/s的速率下制得的薄均匀致密，表面电阻高于10^8Ω，性能良好，而当蒸发速率≥0.25nm/s时，薄膜绝缘性能迅速下降。AFM分析显示薄膜呈岛状分布，且0.05nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积，颗粒均匀，表面比0.10nm/s样品起伏平缓、光滑，薄膜的生长机制可能是三维岛状生长。 |
| 关 键 词： | 离子束增强沉积 AlN 薄膜 |
| 文章编号： | 1004-2474(2001)05-0366-04 |
| 修稿时间： | 2001年2月28日 |
Formation of AlN Film by Ion-beam-enhanced Deposition |
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| MEN Chuan ling ,XU Zheng ,ZHENG Zhi hong ,DUO Xin zhong ,ZHANG Miao ,LIN Cheng lu.Formation of AlN Film by Ion-beam-enhanced Deposition[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2001,23(5):366-369. | |
| Authors: | MEN Chuan ling XU Zheng ZHENG Zhi hong DUO Xin zhong ZHANG Miao LIN Cheng lu |
| Affiliation: | MEN Chuan ling 1,2,XU Zheng 1,ZHENG Zhi hong 2,DUO Xin zhong 2,ZHANG Miao 2,LIN Cheng lu 2 |
| Abstract: | |
| Keywords: | ion beam enhanced deposition AlN SOI |
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