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| 铬[Vl]离子敏感半导体器件的研究 | |
| 引用本文： | 方培生,黄强,何益新,崔吾元,丰达明.铬[Vl]离子敏感半导体器件的研究[J].传感器与微系统,1987(Z1). |
| 作者姓名： | 方培生 黄强 何益新 崔吾元 丰达明 |
| 作者单位： | 西安交通大学 (方培生，黄强，何益新，崔吾元)，冶金部广州有色院(丰达明) |
| 摘 要： | <正> 我们采用半导体平面工艺技术,制造栅绝缘膜为Si_3N_4/SiO_2的n沟道耗尽型氢离子敏感半导体器件,再在栅绝缘膜上通过溅射等方法制造一层以季铵盐为活性物质的PVC膜;然后把器件灌封在聚乙烯塑料管中。将铬离子敏感 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |