| 4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路 |
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| 引用本文： | 许春良,王绍东,柳现发,高学邦.4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路[J].半导体技术,2013(1):6-9. |
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| 作者姓名： | 许春良 王绍东 柳现发 高学邦 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200) |
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| 摘 要： | 采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。放大器采用了自偏压单电源供电,因为每级有两个FET串联,自偏压电路更为复杂,通过多个电阻分压的方式确定了每个FET的工作点。测试结果表明,该放大器在频率4～20 GHz内,增益大于14 dB,噪声系数小于3.0 dB,增益平坦度小于±1.0 dB,输入驻波比小于1.5∶1,输出驻波比小于1.8∶1,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm。放大器的工作电压为8 V,电流约为50 mA,芯片面积为2.0 mm×2.0 mm。
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| 关 键 词： | 超宽带 低噪声放大器 行波 微波单片集成电路 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 |
4-20 GHz Ultra Broadband Low Noise Amplifier MMIC |
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| Xu Chunliang,Wang Shaodong,Liu Xianfa,Gao Xuebang.4-20 GHz Ultra Broadband Low Noise Amplifier MMIC[J].Semiconductor Technology,2013(1):6-9. |
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| Authors: | Xu Chunliang Wang Shaodong Liu Xianfa Gao Xuebang |
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| Affiliation: | (The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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