| 一种新型的基于SOI MOSFET 衬底模型提取方法 |
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| 引用本文： | 周文勇.一种新型的基于SOI MOSFET 衬底模型提取方法[J].电子器件,2016,39(6). |
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| 作者姓名： | 周文勇 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学 |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 衬底寄生网络建模和参数提取，对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离，将源、体和衬底短接接地，测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构，无法准确区分衬底网络影响。文章提出一种改进的测试结构,通过把SOI MOSFET的漏和源短接为信号输出端、栅为信号输入端，测试栅、漏/源短接二端口S参数的方法，把衬底寄生在二端口S参数中直接体现出来，并开发出一种解析提取衬底网络模型参数的方法，支持SOI MOSFET衬底网络模型的精确建立。采用该方法对一组不同栅指数目的SOI MOSFET进行建模，测量和模型仿真所得S参数在20GHz频段范围内得到很好吻合。
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| 关 键 词： | RF SOI MOSFET 衬底模型 测试结构 参数提取 |
A New Methord Of Substrate Model Extraction Based On SOI MOSFET |
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| Keywords: | RF SOI MOSFET substrate model test structure parameter extraction |
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