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器件工艺可靠性测试数据比较方法的研究
引用本文:王擎雷,周柯,杨斯元. 器件工艺可靠性测试数据比较方法的研究[J]. 半导体技术, 2010, 35(4): 378-382. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.020
作者姓名:王擎雷  周柯  杨斯元
作者单位:中芯国际,上海,201203;中芯国际,上海,201203;中芯国际,上海,201203
摘    要:
热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应和负偏压温度不稳定性(negative biastemperature instability,NBTI)是集成电路中重要的前段器件工艺可靠性测试项目。通过引入工业统计学,详细讨论了在不同工艺制造情况或测试环境下HCI/NBTI效应可靠性差异的比较方法。这些对于HCI/NBTI测试比较方法的总结,有利于合理分析工艺可靠性测试结果,协助晶圆生产部门找出失效机理,不断改善工艺制程并保持工艺的稳定性。

关 键 词:HCI/NBTI  寿命  置信区间  管控图  显著性差异

Study of Comparison Method in Device Process Reliability Test
Wang Qinglei,Zhou Ke,Yang Siyuan. Study of Comparison Method in Device Process Reliability Test[J]. Semiconductor Technology, 2010, 35(4): 378-382. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.020
Authors:Wang Qinglei  Zhou Ke  Yang Siyuan
Abstract:
Keywords:HCI/NBTI
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