| PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究 |
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| 引用本文： | 陶涛,苏辉,谢自力,张荣,刘斌,修向前,李毅,韩平,施毅,郑有炓.PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究[J].微纳电子技术,2010,47(5). |
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| 作者姓名： | 陶涛 苏辉 谢自力 张荣 刘斌 修向前 李毅 韩平 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学,物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(2006CB6049);;国家高技术研究发展规划(2006AA03A);;国家自然科学基金(60721063,60676057,60731160628,60820106003,60990311);;江苏省自然科学基金(BK2008019);;南京大学扬州光电研究院研发基金 |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌。结果表明,温度和射频功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率变化幅度可以达到230nm/min甚至更高。对于薄膜折射率和成分影响最大的是NH3流量,折射率变化范围可以达到2.7～1.86。分析得出受工艺参数调控的薄膜生长速率对薄膜的性质有重要影响。
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| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积法 氮化硅薄膜 生长速率 折射率 硅衬底 |
Research on Nitride Membranes Grown by PECVD |
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| Tao Tao,Su Hui,Xie Zili,Zhang Rong,Liu Bin,Xiu Xiangqian,Li Yi,Han Ping,Shi Yi,Zheng Youdou.Research on Nitride Membranes Grown by PECVD[J].Micronanoelectronic Technology,2010,47(5). |
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| Authors: | Tao Tao Su Hui Xie Zili Zhang Rong Liu Bin Xiu Xiangqian Li Yi Han Ping Shi Yi Zheng Youdou |
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| Affiliation: | Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Science and Technology;Department of Physics;Nanjing University;Nanjing 210093;China |
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| Abstract: | Under different growth conditions,silicon nitride(SiNx)thin films were deposited successfully on Si(100)substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD).The thickness,refractive index and growth rate of the thin films were tested by profilometry and ellipsometer,respectively.The surface morphologies of the thin films were investigated using atomic force microscope(AFM).The results show that the temperature and RF power play significant roles on the growth rate of thin films,whose magnitude of ... |
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| Keywords: | plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) SiNx membranes growth rate refractive index Si substrate |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
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