| 一种高维持电压的新型闩锁免疫双向可控硅 |
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| 引用本文： | 孙浩楠,李浩亮,杨潇楠.一种高维持电压的新型闩锁免疫双向可控硅[J].微电子学,2022,52(6):1044-1049. |
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| 作者姓名： | 孙浩楠 李浩亮 杨潇楠 |
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| 作者单位： | 郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61874099) |
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| 摘 要： | 传统DDSCR器件过低的维持电压容易造成闩锁效应。提出了一种新型DDSCR,在传统器件阳极与阴极之间加入了浮空高掺杂的N+与P+有源区,通过P+有源区复合阱内的电子,N+有源区将电流通过器件深处电阻较低SCR路径泄放的方式来解决传统器件维持电压过低的问题,提高器件抗闩锁能力。基于TCAD的仿真结果表明,与传统DDSCR相比,新型器件的维持电压从2.9 V提高到10.5 V,通过拉长关键尺寸D7,可将器件维持电压进一步提高到13.7 V。该器件适用于I/O端口存在正负两种电压的芯片防护。
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| 关 键 词： | 静电放电 维持电压 双向可控硅 闩锁效应 TCAD仿真 |
| 收稿时间： | 2021/10/28 0:00:00 |
A Novel Latchup-Immune Dual-Directional SCR with High Holding Voltage |
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| SUN Haonan,LI Haoliang,YANG Xiaonan.A Novel Latchup-Immune Dual-Directional SCR with High Holding Voltage[J].Microelectronics,2022,52(6):1044-1049. |
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| Authors: | SUN Haonan LI Haoliang YANG Xiaonan |
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| Affiliation: | School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450000, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ESD holding voltage DDSCR latch-up effect TCAD simulation |
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