| 单晶黑硅微结构对其反射率影响的研究 |
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| 引用本文： | 岳之浩,沈鸿烈,蒋晔,陈伟龙,唐群涛,商威.单晶黑硅微结构对其反射率影响的研究[J].功能材料,2014(16). |
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| 作者姓名： | 岳之浩 沈鸿烈 蒋晔 陈伟龙 唐群涛 商威 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院;中天光伏技术有限公司;南京航空航天大学纳米智能材料器件教育部重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03Z219);江苏省前瞻性联合创新资助项目(BY2013003-08) |
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| 摘 要： | 采用Ag辅助化学腐蚀法在不同H2O2浓度、腐蚀温度和腐蚀时间条件下制备了单晶黑硅微结构,并系统地研究了这种微结构对表面反射率的影响规律。采用场发射扫描电子显微镜对样品形貌进行了观察,并利用分光光度计对样品的表面反射率进行了测试,最终采用陷光模型对黑硅微结构与其反射率的关系进行了深入分析。发现当腐蚀液为7.8mol/L HF和0.6mol/L H2O2混合液、腐蚀温度为20℃以及腐蚀时间为90s时,所制备黑硅的腐蚀深度为900nm,其表面平均反射率为0.98%(400~900nm)。
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| 关 键 词： | Ag辅助化学腐蚀法 单晶硅 微结构 反射率 |
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