| 功率半导体器件辐射效应综述 |
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| 引用本文： | 谭桢,魏志超,孙亚宾,万欣,晋虎,万慧君,王敬,刘道广,许军.功率半导体器件辐射效应综述[J].微电子学,2017,47(5):690-694. |
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| 作者姓名： | 谭桢 魏志超 孙亚宾 万欣 晋虎 万慧君 王敬 刘道广 许军 |
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| 作者单位： | 清华大学 微电子学研究所, 北京 100084,中国空间技术研究院, 北京 100029,华东师范大学 信息科学技术学院, 上海 200241,北京极光源芯科技有限公司, 北京 100084,北京极光源芯科技有限公司, 北京 100084,唐山供电公司, 河北 唐山 063000,清华大学 微电子学研究所, 北京 100084,清华大学 微电子学研究所, 北京 100084,清华大学 微电子学研究所, 北京 100084 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2017YFB 0404100);清华大学自主科研项目(20141081190) |
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| 摘 要： | 功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射效应。然后,介绍了近年来一些新的研究成果和研究热点。最后,对第三代半导体功率器件中的辐射效应进行了简单介绍。
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| 关 键 词： | 硅功率器件 宽禁带半导体器件 总剂量效应 单粒子效应 |
| 收稿时间： | 2016/12/12 0:00:00 |
Review of Radiation Effects in Power Semiconductor Devices |
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| TAN Zhen,WEI Zhichao,SUN Yabin,WAN Xin,JIN Hu,WAN Huijun,WANG Jing,LIU Daoguang and XU Jun.Review of Radiation Effects in Power Semiconductor Devices[J].Microelectronics,2017,47(5):690-694. |
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| Authors: | TAN Zhen WEI Zhichao SUN Yabin WAN Xin JIN Hu WAN Huijun WANG Jing LIU Daoguang and XU Jun |
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| Affiliation: | Inst.of Microelec., Tsinghua Univ., Beijing 100084, P.R.China,China Academy of Space Technol., Beijing 100029, P.R.China,School of Inform.Sci.Technol., East China Normal Univ., Shanghai 200241, P.R.China,Beijing Aurorachip Company Limited, Beijing 100084, P.R.China,Beijing Aurorachip Company Limited, Beijing 100084, P.R.China,Tangshan Grid Company, Tangshan, Hebei 063000, P.R.China,Inst.of Microelec., Tsinghua Univ., Beijing 100084, P.R.China,Inst.of Microelec., Tsinghua Univ., Beijing 100084, P.R.China and Inst.of Microelec., Tsinghua Univ., Beijing 100084, P.R.China |
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| Abstract: | Power semiconductor devices are key components in power system of spacecraft, which can be damaged by particles in space. The major radiation effects in silicon power semiconductors were discussed first. Then some new topic and research results in recent years were introduced. At last, the radiation effects in new type power devices and the radiation hardened techniques were summarized briefly. |
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| Keywords: | Silicon power semiconductor device Wide bandgap semiconductor device Total ionizing dose effect Single event effect |
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