| 高电源抑制比低温度系数超低功耗基准电压源 |
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| 作者姓名： | 周勇 胡云斌 胡刚毅 沈晓峰 顾宇晴 倪亚波 |
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| 作者单位： | 重庆大学 光电工程学院, 重庆400044;模拟集成电路重点实验室, 重庆400060,模拟集成电路重点实验室, 重庆400060,重庆大学 光电工程学院, 重庆400044;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆400060,模拟集成电路重点实验室, 重庆400060,模拟集成电路重点实验室, 重庆400060,模拟集成电路重点实验室, 重庆400060 |
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| 摘 要： | 在0.18 μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在0.9~3 V变化时,该电压源均可正常工作,输出电压约为558 mV。1.2 V电源电压下,在－55 ℃~100 ℃温度范围内,该电压源的温度系数为2.3×10-5/℃,低频电源抑制比为－81 dB,总功耗约为127 nW。
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| 关 键 词： | 低温度系数 高电源抑制比 全MOS 超低功耗 |
| 收稿时间： | 2016-05-23 |
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