| 一种电荷平衡结构的沟槽MOSFET的优化设计 |
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| 作者姓名： | 罗小梦 王立新 杨尊松 王路璐 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2016YFB0901800) |
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| 摘 要： | 为了降低传统沟槽MOSFET的导通电阻和栅漏电容,科研人员提出一种具有电荷平衡结构的SG-RSO MOSFET。在此基础上,利用电荷平衡理论计算出SG-RSO MOSFET结构的主要参数,并借助TCAD仿真软件对外延层厚度及其掺杂浓度、场板氧化层厚度和沟槽深度等主要参数进行合理优化设计。最终,仿真得到击穿电压为92.6 V、特征导通电阻为19.01 mΩ·mm2、特征栅漏电容为1.45 nF·cm-2的SG-RSO MOSFET。该器件性能优于传统沟槽MOSFET。
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| 关 键 词： | SG-RSO MOSFET 电荷平衡 导通电阻 栅漏电容 |
| 收稿时间： | 2016-11-07 |
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