| 自组装InGaN/GaN量子点的研究进展 |
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| 引用本文： | 李嘉炜,叶志镇,Nasser N M.自组装InGaN/GaN量子点的研究进展[J].半导体光电,2002,23(2):77-80. |
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| 作者姓名： | 李嘉炜 叶志镇 Nasser N M |
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| 作者单位： | 浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 摘 要： | GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ-Ⅴ族半导体研究的热点.由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能.总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对InGaN/GaN量子点做了较详细的介绍,并对其在半导体器件的具体应用前景上提出了合理的设想.
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| 关 键 词： | InGaN 量子点 生长模式 发光特性 制造工艺 |
| 文章编号： | 1001-5868(2002)02-0077-04 |
| 修稿时间： | 2001年7月30日 |
Research Advances in Self-assemble InGaN/GaN QDs |
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| LI Jia-wei,YE Zhi-zhen,Nasser N M.Research Advances in Self-assemble InGaN/GaN QDs[J].Semiconductor Optoelectronics,2002,23(2):77-80. |
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| Authors: | LI Jia-wei YE Zhi-zhen Nasser N M |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaN QDs growth mode optical properties fabrication |
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