| 半导体纳米晶光电性能的研究进展 |
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| 引用本文： | 罗丽庆,林健,黄文旵.半导体纳米晶光电性能的研究进展[J].光电子技术与信息,2005,18(3):1-5. |
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| 作者姓名： | 罗丽庆 林健 黄文旵 |
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| 作者单位： | 同济大学材料科学与工程学院,上海,200092 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59872022);上海市科学技术委员会(0352nm055) |
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| 摘 要： | 综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况，着重介绍了半导体纳米晶在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电阻率等方面的独特性能。这些研究表明，对于0—3nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说，量子尺寸效应是产生晶体性质突变的主要原因之一。对纳米晶体结构和性能的深入研究，能为光电子材料的发展提供新的途径和思路。
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| 关 键 词： | 半导体纳米晶 尺寸效应 光电子性质 |
| 文章编号： | 1006-1231(2005)03-0001-05 |
| 修稿时间： | 2004年7月7日 |
Progress in Study on Opti-electronic Properties of Semi-conduct Nanocrystal |
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| LUO Li-qing,LIN Jian,HUANG Wen-hai.Progress in Study on Opti-electronic Properties of Semi-conduct Nanocrystal[J].Optoelectronic Technology & Information,2005,18(3):1-5. |
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| Authors: | LUO Li-qing LIN Jian HUANG Wen-hai |
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