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钨离子掺杂对Ca0.7La0.3Bi4(Ti1-xWx)4O15陶瓷性能的影响
引用本文:黄新友,陈志刚,郑夏莲,高春华.钨离子掺杂对Ca0.7La0.3Bi4(Ti1-xWx)4O15陶瓷性能的影响[J].硅酸盐学报,2007,35(6):705-708,735.
作者姓名:黄新友  陈志刚  郑夏莲  高春华
作者单位:江苏大学材料科学与工程学院,江苏,镇江,212013
摘    要:用固相法研究了钨离子(W6 )掺杂对铋层状钛酸铋钙镧Ca0.7La0.3Bi4(Ti1-xWx)4O15,CLBTWx]陶瓷的铁电性能、介电性能和压电性能的影响,得到了W6 掺量与铋层状CLBTWx陶瓷性能的关系.用X射线衍射和扫描电镜研究了W6 掺量对铋层状CLBTWx陶瓷微观结构和物相的影响,探讨了W6 掺杂改性的机理.结果表明:随着W6 掺量的增加,CLBTWx陶瓷的介电常数(ε)先增大后减小;介质损耗(tanδ)先减小后增大;压电应变常数(d33)先增大后减小;剩余极化强度(Pr)先增大后减小然后再增大再减小;矫顽场(Ec)变化规律与Pr的相同.当W6 掺量为0.025mol时,可得到综合性能好的无铅铋层状CLBTWx陶瓷,其烧结温度为1 120~1 140℃时,CLBTWx陶瓷的ε=183.15;tanδ=0.00446;d33=14×10-12C/N;2Pr=26.7μC/cm2;2Ec=220kV/cm.该类材料适合于制备铁电随机存取存储器和高温高频压电器件.W6 掺杂从生成钙空位或铋空位、形成焦绿石相、促进陶瓷致密化、偏析晶界影响陶瓷晶粒的均匀生长等方面来影响铋层状CLBTWx陶瓷性能和结构.

关 键 词:铋层状化合物  钨离子掺杂  性能  固相法  铁电陶瓷  压电陶瓷
文章编号:0454-15648(2007)06-0705-04
修稿时间:2006-07-242007-02-12

INFLUENCE OF TUNGSTEN DOPING ON PROPERTIES OF Ca0.7La0.3Bi4(Ti1-xWx)4O15 CERAMICS
HUANG Xinyou,CHEN Zhigang,ZHENG Xialian,GAO Chunhua.INFLUENCE OF TUNGSTEN DOPING ON PROPERTIES OF Ca0.7La0.3Bi4(Ti1-xWx)4O15 CERAMICS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2007,35(6):705-708,735.
Authors:HUANG Xinyou  CHEN Zhigang  ZHENG Xialian  GAO Chunhua
Affiliation:School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, Jiangsu, China
Abstract:
Keywords:bismuth layered compound  tungsten ion doping  properties  solid state method  ferroelectric ceramics  piezoelectric ceramics
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