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| 不同Te掺杂量对InSb晶体性能的影响 | |
| 作者姓名： | 马林 杨瑞霞 于凯 王健 刘莎莎 |
| 作者单位： | 河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300401;中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220;河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300401;中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220;新型半导体晶体材料技术重点实验室, 天津 300220 |
| 摘 要： | InSb原料因含受主杂质,制备出的InSb晶体通常呈P型特性,其迁移率低无法满足低温(77 K)时红外探测器需求.为了获得高迁移率特性,通过直拉法(Cz)生长了不同Te掺杂量的InSb:Te晶体.利用霍尔测试仪测量晶体电学特性,结果表明,InSb:Te晶体在77 K下的导电类型为N型.随着Te掺杂浓度从1016 cm-... |
| 关 键 词： | InSb 直拉(Cz)法 Te掺杂 迁移率 带隙 |
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