单晶二维材料势垒层磁性隧道结的偏压效应 |
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作者姓名: | 吕涛涛 方贺男 吕杰 孙星宇 |
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作者单位: | 南京邮电大学 电子与光学工程学院, 江苏 南京 210023 |
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摘 要: | 基于Bethe理论和双束近似方法,构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型.该理论模型将单晶势垒层视作周期性光栅,因而可以充分地计入隧穿电子的相干性.进一步地,利用该理论计算了以单晶二维材料作为势垒层的磁性隧道结的偏压效应.根据计算结果,讨论了铁磁电极对偏压效应的影响以及偏压对厚度效应的影响.研究表明,由于单晶周期性...
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关 键 词: | 磁性隧道结 二维材料 自旋极化输运 隧穿磁阻效应 自旋电子学 |
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