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KGD质量和可靠性保障技术
引用本文:黄云,恩云飞,师谦,罗宏伟.KGD质量和可靠性保障技术[J].半导体技术,2005,30(5):40-43.
作者姓名:黄云  恩云飞  师谦  罗宏伟
作者单位:信息产业部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;信息产业部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;信息产业部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;信息产业部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610
摘    要:通过裸芯片可靠性保障技术研究,在国内形成了一部完整的已知良好芯片(KGD)质量与司靠性保证程序,建立了从裸芯片到KGD的质量与可靠性保证系统,确立了裸芯片测试、老化和评价技术,实现了工作温度为-55~ 125℃的裸芯片静态、动态工作频率小于100MHz的测试和工作频率小于3MHz的1 25℃动态老化筛选,可保障裸芯片在技术指标和可靠性指标上达到封装成品的等级要求.

关 键 词:已知良好芯片  质量  可靠性  测试  老化
文章编号:1003-353X(2005)05-0040-04
修稿时间:2004年7月25日

Quality and Reliability Assurance Technology of KGD
HUANG Yun,EN Yun-fei,SHI Qian,LUO Hong-wei.Quality and Reliability Assurance Technology of KGD[J].Semiconductor Technology,2005,30(5):40-43.
Authors:HUANG Yun  EN Yun-fei  SHI Qian  LUO Hong-wei
Abstract:
Keywords:known-good-die(KGD)  quality  reliability  test  aging
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