| 热丝法低温生长硅上单晶碳化硅薄膜 |
| |
| 引用本文： | 张荣,施洪涛.热丝法低温生长硅上单晶碳化硅薄膜[J].高技术通讯,1994,4(11):10-13. |
| |
| 作者姓名： | 张荣 施洪涛 |
| |
| 作者单位： | 南京大学物理系 |
| |
| 基金项目： | 国家教委跨世纪人才专项基金,国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 提出了热丝化学气相淀积法，在低温（６００－７５０℃）下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜，Ｘ光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构，光致发光测量证明外延ＳｉＣ材料室温下可稳定发射可见光。
|
| 关 键 词： | 热丝法 低温生长 碳化硅 单晶 |
Growth of SiC Single Crystal Film on Si at Low Temperature by Hot Filament Chemical Vapor Deposition |
| |
| Zhang Rong, Shi Hongtao, Zheng Youdou,Yu Shidong, He Yuliang, Liu Xiangna.Growth of SiC Single Crystal Film on Si at Low Temperature by Hot Filament Chemical Vapor Deposition[J].High Technology Letters,1994,4(11):10-13. |
| |
| Authors: | Zhang Rong Shi Hongtao Zheng Youdou Yu Shidong He Yuliang Liu Xiangna |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Hot filament method Low temperature growth Silicon carbide Single crystal Thinfilm |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
