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| 日立采用聚焦离子束技术制成亚微米 MOSFET | |
| 引用本文： | 张弛.日立采用聚焦离子束技术制成亚微米 MOSFET[J].微纳电子技术,1985(3). |
| 作者姓名： | 张弛 |
| 摘 要： | <正> 日立制作所最近采用聚焦离子束技术试制了有效沟道长度为亚微米的 MOSFET(IB-MOS)。由于 IB 技术的优良的可控制性和辐射效应的效果,现已成为必不可少的工艺技术。目前正在研究向新领域的应用问题,如向更高精度的微细区的掺杂、深结的形成和新物质的合成等。器件的制作:基本上是采用 n 沟硅栅工艺,用离子束注入到 MOSFET 的沟道中心部分的方法构成器件。栅材料是多晶硅,源和漏是用 As 注入,深2μm,沟长0.65μm;FIB是用 B~+ |
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