| GaInP/GaAs/Ge叠层太阳电池的研制及其温度依赖性分析 |
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| 引用本文： | 崔敏,陈诺夫,杨晓丽,张汉. GaInP/GaAs/Ge叠层太阳电池的研制及其温度依赖性分析[J]. 半导体学报, 2012, 33(2): 024006-4 |
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| 作者姓名： | 崔敏 陈诺夫 杨晓丽 张汉 |
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| 作者单位： | 北京工业大学应用数理学院,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 |
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| 基金项目： | Project supported by Doctoral Initial Fund of Beijing University of Technology, China (No. X0006015201101) and the National Foundation of China (No. 10804005). |
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| 摘 要： | 利用MOCVD方法制备了GaInP/GaAs/Ge叠层太阳电池。测试了I-V特性，并测试分析了该电池性能在30℃至170℃温度范围内的变化情况。测试结果表明，随着温度的升高，短路电流密度略微增大，温度系数为9.8 (μA/cm2)/℃；开路电压以系数-5.6mV/℃急剧下降；填充因子也随之下降（-0.00063 /℃）；电池的转换效率随温度升高线性减小，温度从30℃升高至 130℃时，效率从28%下降至22.1%。最后，本文对该叠层电池随着温度变化的特性给予了详细的理论分析。
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| 关 键 词： | 太阳能电池 温度依赖性 砷化镓 GaInP 串联 MOCVD技术 制造 锗 |
| 收稿时间： | 2011-06-27 |
| 修稿时间： | 2011-09-22 |
Fabrication and temperature dependence of a GaInP/GaAs/Ge tandem solar cell |
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| Cui Min,Chen Nuofu,Yang Xiaoli and Zhang Han. Fabrication and temperature dependence of a GaInP/GaAs/Ge tandem solar cell[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2012, 33(2): 024006-4 |
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| Authors: | Cui Min Chen Nuofu Yang Xiaoli Zhang Han |
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| Affiliation: | School of Applied Physics and Mathematics, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaInP/GaAs/Ge tandem solar cells temperature dependence solar energy |
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