| 2～18GHz微波宽带限幅放大器 |
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| 引用本文： | 郭文椹,表明文,李永,程显平. 2～18GHz微波宽带限幅放大器[J]. 微纳电子技术, 2000, 0(3) |
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| 作者姓名： | 郭文椹 表明文 李永 程显平 |
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| 作者单位： | 河北半导体研究所!石家庄050051 |
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| 摘 要： | 采用 CAD技术 ,应用 Ga As HEMT管芯及良好的微组装工艺 ,研制出 2～ 1 8GHz微波宽带限幅放大器。基片为氧化铝材料 ,尺寸 0 .2 5 mm× 2 mm× 1 0 mm,自制超微带阻容元件 ,一并装在很小的铜载体上。经试验调试得到以下结果 :f:2～ 1 8GHz,Pout:3 0～ 5 0 m W,Gp≥ 60 d B,Fn≤ 5 d B,VSWR1≤ 2 .5 ,VSWR2≤ 2 .5。
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| 关 键 词： | 微波 限幅放大器 |
2~18GHz Broad-Band Microwave Limiting Amplifier |
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| Guo Wenren,Biao Mingwen,Li Yong,Cheng Xianping. 2~18GHz Broad-Band Microwave Limiting Amplifier[J]. Micronanoelectronic Technology, 2000, 0(3) |
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| Authors: | Guo Wenren Biao Mingwen Li Yong Cheng Xianping |
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| Abstract: | Through carefully CAD and high level mini assembly process,the 2~18GHz broad band microwave limiting amplifier is fabricated on a 0 25mm×2mm×10mm Al 2O 3 substrate with copper carrier,using GaAs HEMT chips and self made mini resistance and capacitance elements.The final results are: f 2~18GHz, P out 30～50mW, G p≥60dB, F n ≤5dB,VSWR1≤2 5,VSWR2≤2 5. |
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| Keywords: | Microwave Limiting amplifier |
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