用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究 |
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引用本文: | 金海岩,黄长河.用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究[J].半导体学报,1997,18(2):97-102. |
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作者姓名: | 金海岩 黄长河 |
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作者单位: | 复旦大学材料科学系 |
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摘 要: | 二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上,膜厚在0.1~1μm之间.本文考察了温度对生长速率的影响,其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系,并通过作图求出钛源的活化能Ea=1.05eV.TEM测试结果表明,生成的二氧化钛是多晶膜,为锐钛矿结构.将样品作XPS分析,测试出Ti3+随氧气流量的增加而减少,进一步研究表明,二氧化钛是n型半导体,它的电阻率随钛三价离子的减少而增大.
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关 键 词: | 二氧化钛 MOCVD生长 半导体薄膜技术 |
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