非有意掺杂LECSI GaAs中EL2分布特性的研究 |
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引用本文: | 杨瑞霞,李光平.非有意掺杂LECSI GaAs中EL2分布特性的研究[J].电子科学学刊,1995,17(1):92-97. |
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作者姓名: | 杨瑞霞 李光平 |
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摘 要: | 测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘LECGaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布,在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。
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关 键 词: | EL2 分布特性 结构模型 半导体材料 |
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