| 以TiO_2为缓冲层在GaN上外延生长PZT铁电薄膜 |
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| 引用本文： | 李理,朱俊,罗文博. 以TiO_2为缓冲层在GaN上外延生长PZT铁电薄膜[J]. 真空科学与技术学报, 2010, 30(5). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.05.08 |
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| 作者姓名： | 李理 朱俊 罗文博 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划"973"，国家自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的GaN基片上以TiO2为缓冲层外延生长了PZT(111)单晶薄膜。X射线衍射分析表明PZT(111)衍射峰的摇摆曲线半高宽为0.4°,说明薄膜结晶性能良好。PZT薄膜疲劳特性测试结果表明,在经过107次翻转后PZT薄膜的剩余极化强度开始出现下降。P-E电滞回线和I-V测试表明PZT薄膜矫顽场(2Ec)为350 kV/cm,剩余极化(2Pr)约为96μC/cm2,在1 V电压下薄膜的漏电流密度为1.5×10-7A/cm2。以上性能测试结果表明,在半导体GaN上外延生长的PZT铁电薄膜性能基本满足铁电随机存储器的需要。
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 缓冲层 |
Epitaxial Growth of Lead Zirconate Titanate Films on GaN Substrate with TiO2 Buffer Layer |
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| Li Li,Zhu Jun,Luo Wenbo. Epitaxial Growth of Lead Zirconate Titanate Films on GaN Substrate with TiO2 Buffer Layer[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2010, 30(5). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.05.08 |
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| Authors: | Li Li Zhu Jun Luo Wenbo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PZT TiO2 GaN |
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