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| 半绝缘GaAs材料中的Si、Be双重离子注入 | |
| 引用本文： | 周勉,忻尚衡,史常忻. 半绝缘GaAs材料中的Si、Be双重离子注入[J]. 核技术, 1987, 0(1) |
| 作者姓名： | 周勉 忻尚衡 史常忻 |
| 作者单位： | 上海交通大学大规模集成电路微细加工研究所(周勉，忻尚衡)，上海交通大学大规模集成电路微细加工研究所(史常忻) |
| 摘 要： | GaAs集成电路要求FET有一致的夹断特性,而半绝缘GaAs衬底的质量对Si全离子注入的MESFET有着重大影响。这是由于高阻衬底中的Cr在离子注入和高温退火后的再分布,注入后载流子分布出现翘尾,使部分器件呈现出异常输出特性,表现为夹断电压偏高,小电流时跨导偏低,难以获得均匀的夹断电压。在N型有源层之下,用离子注入工艺形成一个隐埋的P型层,可以大大改善夹断电压的均匀性。已有报道,通过在沟道层和衬底之间引入一P型层,亚微米栅GaAs MSFET的短沟道效应有效地被抑制了,背栅效应对于GaAs集成电路无疑是有害的,模拟计算也表明,使用近补偿的衬底材料或缓冲层可使背栅沟道电容减至最小。 |
| 关 键 词： | GaAs Si~+ Be~+ 离子注入 |
Si, Be dual implantation into SI-GaAs |
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| Zhou Mian Xin Shangheng Shi Changxin. Si, Be dual implantation into SI-GaAs[J]. Nuclear Techniques, 1987, 0(1) | |
| Authors: | Zhou Mian Xin Shangheng Shi Changxin |
| Abstract: | This paper presents a technique of Si, Be dual implantation into semi-insulating GaAs to form a p-type buried layer under a n-type active layer.Theoretical and experimental results verify that it is possible to suppress the effect of the n-type implanted profile tail in the region of the semi-insulating substrate interface using the proper p-type buried layer. |
| Keywords: | GaAs Si+ Be+ ion implantation |
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