| S波段系列SiC MESFET器件研制 |
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| 引用本文： | 李亮,潘宏菽,默江辉,陈昊,冯震,杨克武,蔡树军. S波段系列SiC MESFET器件研制[J]. 微纳电子技术, 2008, 45(6): 322-326 |
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| 作者姓名： | 李亮 潘宏菽 默江辉 陈昊 冯震 杨克武 蔡树军 |
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| 作者单位： | 1. 专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050002;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050002
2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050002 |
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| 摘 要： | SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点,使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片,解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题;针对不同应用背景,研制出总栅宽分别为1、5、15、20mm系列SiC MESFET样管。在2GHz脉冲状态下,300μs脉宽、10%占空比、20mm栅宽器件单胞输出功率超过80W,功率密度大于4W/mm;15mm栅宽器件在3.1~3.4GHz频带脉冲功率输出超过30W。该研究结果为SiC器件的实用化奠定了基础。
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| 关 键 词： | 碳化硅 S波段 功率器件 金属-半导体场效应晶体管,功率密度 |
| 文章编号： | 1671-4776(2008)06-0322-04 |
| 修稿时间： | 2008-03-07 |
Development of S-Band SiC-MESFETs |
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| Li Liang,Pan Hongshu,Mo Jianghui,Chen Hao,Feng Zhen,Yang Kewu,Cai Shujun. Development of S-Band SiC-MESFETs[J]. Micronanoelectronic Technology, 2008, 45(6): 322-326 |
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| Authors: | Li Liang Pan Hongshu Mo Jianghui Chen Hao Feng Zhen Yang Kewu Cai Shujun |
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| Affiliation: | Li Liang1,2,Pan Hongshu1,Mo Jianghui1,Chen Hao1,Feng Zhen1,Yang Kewu1,Cai Shujun2(1.The National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050002,China,2.The 13th Research Institute,CETC,China) |
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| Abstract: | Silicon carbide (SiC) MESFET becomes a very promising candidate for high power microwave applications in commercial and military communications with its excellent properties such as high electric breakdown field, high saturated electron drift velocity and high thermal conductivity.SiC MESFETs with 1-20 mm gate periphery were fabricated using a standard SiC epitaxial wafer with the domestic technology.A series of technology problems such as the ohmic contact,dry etching and damage repairing were solved.SiC M... |
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| Keywords: | silicon carbide S-band power device MESFET power density |
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