DC-HCPCVD法低温低压下纳米金刚石膜的制备及生长特性研究 |
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引用本文: | 吴春雷,金振宇,孙霄霄,陈薇薇,尹龙承.DC-HCPCVD法低温低压下纳米金刚石膜的制备及生长特性研究[J].真空,2014(6). |
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作者姓名: | 吴春雷 金振宇 孙霄霄 陈薇薇 尹龙承 |
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作者单位: | 牡丹江师范学院理学院;牡丹江第二发电厂;牡丹江师范学院工学院; |
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基金项目: | 牡丹江师范学院科研项目(QZ201217) |
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摘 要: | 在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)设备,在低温低压下制备纳米金刚石膜。对制备的样品通过扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对其进行表征。结果表明:低温低压下制备的纳米膜,由于晶粒之间的团簇,导致表面粗糙度较大,拉曼测试中存在1132 cm-1处的反式聚乙炔的γ1谱峰及1190 cm-1处低聚乙烯的γ1峰,同时1550 cm-1处的G峰相对强度较高,非金刚石相成分较多,但膜的导电性能较好。
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关 键 词: | 直流热阴极 低温低压 纳米金刚石膜 电阻率 |
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